臨界電流密度の高い酸化物超電導体

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (4)：酒井正己 , 加々美紀雄 , 小松秀岳 , 小松純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003171811
Publication number (International publication number)：2004203727
Application date： Jun. 17, 2003
Publication date： Jul. 22, 2004
Summary：

【課題】高い磁場中でも高臨界電流密度を比較的高い温度で達成できるRE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体及びその製造方法を提供すること。【解決手段】RE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体(REは希土類元素から選ばれた1種又は2種以上)において、RE1+xBa2-xCu3Oy(-0.1≦x≦0.1、6.5≦y≦7.1)の組成からなる母相中に、REa-Bab-Cuc-Zd-O又はREa-Bab-Cuc-Zd-Pte-O(ZはIVA族元素:Ti,Zr及びHfから選ばれる1種又は2種以上、0≦a≦1.0、0.5≦b≦1.0、0≦c≦1.0、0<d≦0.5、0<e≦0.5)の組成を有する500nm以下の非超電導微粒子を分散させる。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

RE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体(REは希土類元素から選ばれた1種又は2種以上)であって、RE1+xBa2-xCu3Oy(-0.1≦x≦0.1、6.5≦y≦7.1)の組成からなる母相中に、RE,Ba,Cu,O以外の元素を含みかつ部分溶融状態にある母相融液中で粒成長しにくい組成を有する非超電導微粒子が微細に分散してなる組織を有することを特徴とするRE-Ba-Cu-O系酸化物超電導体。

IPC (4)：

C01G3/00 , C01G1/00 , H01B13/00 , H01L39/12

FI (4)：

C01G3/00 , C01G1/00 S , H01B13/00 565D , H01L39/12 C

F-Term (13)：

4G047JA01 , 4G047JB01 , 4G047JC02 , 4G047JC03 , 4G047KA01 , 4G047KB01 , 4G047KB11 , 4G047LA01 , 5G321AA02 , 5G321BA03 , 5G321CA02 , 5G321CA06 , 5G321CA13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

酸化物超電導体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-161242 Applicant：同和鉱業株式会社
酸化物超電導体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-298979 Applicant：株式会社東芝
超伝導体プレミックス
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-508080 Applicant：ゾルファイバリウムストロンチウムゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング, インスティトゥートフュアフィズィカリッシェホーホテヒノロギーエーファウ

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