組織化分解ジブロックコポリマー薄膜からのナノパターン化テンプレート

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：竹本松司 , 杉山秀雄 , 湯田浩一 , 魚住高博 , 手島直彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004272578
Publication number (International publication number)：2006055982
Application date： Aug. 23, 2004
Publication date： Mar. 02, 2006
Summary：

【課題】ナノスケール物品製造用のナノパターン化テンプレートの製造方法を提供する。【解決手段】該ナノパターン化テンプレートは、周期性配列細孔地形を具えたナノ細孔薄膜を具え、この薄膜は、(a)ブロック重合工程を使用して相容しない第1及び第2ポリマーブロックを含有するブロックコポリマーをを形成するするステップ、(b)該第1ポリマーブロックが周期性配列トポロジーを形成する条件下で薄膜を形成するステップ、(c)選択的に第1ポリマーブロックを劣化させて該薄膜を周期性配列細孔性地形を具えたナノ細孔性材料となすステップ、により形成される。好ましい実施例では、ブロックコポリマーはPS-PLLAキラルブロックコポリマーであり、第1ポリマーはポリ(L-ラクタイド)、第2ポリマーはポリスチレンであり、第1ポリマーブロックは薄膜に垂直な軸を具えた六角形円柱状地形に形成される。【選択図】図3A

Claim (excerpt)：

ナノスケール物品の製造方法において、 (a)ナノパターン化テンプレートを取得し該ナノパターン化テンプレートを使用してナノスケール物品を形成するステップと、 (b)上記ナノパターン化テンプレートを、 (i)ブロック重合工程を使用して相容しない第1及び第2ポリマーブロックを含有するブロックコポリマーをを形成するするステップ、 (ii)該第1ポリマーブロックが周期性配列トポロジーを形成する条件下で薄膜を形成するステップ、 (iii)選択的に第1ポリマーブロックを劣化させて該薄膜を周期性配列細孔性地形を具えたナノ細孔性材料となすステップ、により形成するステップ、を具えたことを特徴とする、ナノスケール物品の製造方法。

IPC (2)：

B82B 3/00 , B82B 1/00

FI (2)：

B82B3/00 , B82B1/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ナノシリンダー・アレイ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-569064 Applicant：ユニバーシティーオブマサチューセッツ
自己組織化有機薄膜を有する構造体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-325367 Applicant：理化学研究所, 昭和電工株式会社
細孔構造体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-317681 Applicant：キヤノン株式会社