薄膜トランジスタ基板及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：小野由己男 , 稲積朋子
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003558934
Publication number (International publication number)：2005514671
Application date： Jul. 02, 2002
Publication date： May. 19, 2005
Summary：

絶縁基板上に、ゲート配線が形成されており、ゲート絶縁膜がゲート配線を覆い、ゲート絶縁膜上に半導体パターンが形成されている。半導体パターン及びゲート絶縁膜上には、ソース電極及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線が形成されており、データ配線上には、保護膜が形成されている。保護膜上には、接触孔を通じてドレーン電極と連結される画素電極が形成されている。この時、ゲート配線及びデータ配線は、AgにZn、In、Sn、及びCrのうちのいずれか一つ以上が混合されたAg合金からなっている。

Claim (excerpt)：

絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されている第1信号線と、前記第1信号線上に形成されている第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に形成され、前記第1信号線と交差している第2信号線と、前記第1信号線及び前記第2信号線と連結されている薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に形成され、前記薄膜トランジスタの所定の電極を露出させる第1接触孔を有する第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に形成され、前記第1接触孔を通じて前記薄膜トランジスタの所定の電極と連結されている画素電極と、を含み、前記第1及び第2信号線のうちの少なくとも1つは、AgにZn、In、Sn、及びCrからなる添加物のうちのいずれか1つ以上が混合されたAg合金からなっている薄膜トランジスタ基板。

IPC (7)：

G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H05B33/14

FI (9)：

G02F1/1368 , H01L21/28 301R , H05B33/14 A , H01L29/78 612C , H01L29/78 619A , H01L29/58 G , H01L21/88 M , H01L29/78 617M , H01L29/78 616V

F-Term (111)：

2H092GA11 , 2H092GA40 , 2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JB22 , 2H092JB31 , 2H092JB56 , 2H092KB01 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA10 , 2H092MA12 , 2H092MA17 , 2H092NA28 , 2H092PA01 , 2H092PA08 , 3K007AB11 , 3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA00 , 3K007GA00 , 4M104AA09 , 4M104BB08 , 4M104BB36 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD20 , 4M104DD37 , 4M104DD78 , 4M104DD79 , 4M104DD86 , 4M104FF13 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH08 , 4M104HH09 , 4M104HH16 , 5F033GG04 , 5F033HH14 , 5F033HH35 , 5F033HH38 , 5F033JJ38 , 5F033KK14 , 5F033KK35 , 5F033MM05 , 5F033MM11 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ37 , 5F033QQ73 , 5F033QQ76 , 5F033RR01 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033RR21 , 5F033SS11 , 5F033SS21 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033WW03 , 5F033WW09 , 5F033XX10 , 5F033XX13 , 5F033XX14 , 5F033XX20 , 5F110AA03 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110EE06 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF03 , 5F110FF22 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110HK05 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HL07 , 5F110HL14 , 5F110HL22 , 5F110HL26 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN37 , 5F110NN73 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

電子部品用金属材料、電子部品、電子機器、金属材料の加工方法及び電子光学部品
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-092980 Applicant：ソニー株式会社, 株式会社フルヤ金属
無線装置及び無線通信システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-278142 Applicant：三菱電機株式会社
ポリシリコンTFT液晶ディスプレイのゲート電極及びポリシリコンTFT液晶ディスプレイのゲート電極形成用スパッタリングターゲット
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-039308 Applicant：株式会社コベルコ科研, 株式会社神戸製鋼所

Show all

Return to Previous Page