ポリシリコンTFT液晶ディスプレイのゲート電極及びポリシリコンTFT液晶ディスプレイのゲート電極形成用スパッタリングターゲット

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：明田莞
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000039308
Publication number (International publication number)：2001230418
Application date： Feb. 17, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】絶縁膜中の電荷を低減させることができ、ひいては所定の電圧範囲でのスイッチング特性を安定して確保させることができるポリシリコンTFT液晶ディスプレイのゲート電極、及び、このゲート電極を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】アルカリ金属の含有量が0.3ppm以下である金属または合金(Ag、Al、Au、Cr、Cu、Mo、Ti、Ta、Wから選択される1種又は2種以上の金属又は合金)よりなることを特徴とするポリシリコンTFT液晶ディスプレイのゲート電極、及び、アルカリ金属の含有量が0.3ppm以下である金属又は合金(上記ゲート電極と同様の金属又は合金)よりなることを特徴とするスパッタリングターゲット。

Claim (excerpt)：

Ag、Al、Au、Cr、Cu、Mo、Ti、Ta、Wから選択される1種または2種以上の金属または合金よりなるポリシリコンTFT液晶ディスプレイのゲート電極であって、アルカリ金属の含有量が0.3ppm以下であることを特徴とするポリシリコンTFT液晶ディスプレイのゲート電極。

IPC (5)：

H01L 29/786 , C23C 14/34 , G02F 1/1368 , H01L 21/28 301 , H01L 21/285

FI (5)：

C23C 14/34 A , H01L 21/28 301 L , H01L 21/285 S , H01L 29/78 617 M , G02F 1/136 500

F-Term (40)：

2H092JA25 , 2H092JA37 , 2H092KA04 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092MA05 , 2H092MA07 , 2H092MA35 , 2H092NA30 , 2H092PA01 , 4K029BA03 , 4K029BA23 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029DC03 , 4K029DC04 , 4K029DC07 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104CC05 , 4M104DD40 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F110AA08 , 5F110AA14 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE44 , 5F110EE50 , 5F110GG02 , 5F110GG13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭60-066425
特開昭61-264173
液晶表示素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-057668 Applicant：株式会社東芝

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