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J-GLOBAL ID：200903092296439735

埋め込み配線構造の形成方法

Inventor：
阿部 一英

About 阿部 一英


Applicant, Patent owner：
沖電気工業株式会社

About 沖電気工業株式会社


Agent (2)： 前田 実 ,  山形 洋一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003271803
Publication number (International publication number)：2005033050
Application date： Jul. 08, 2003
Publication date： Feb. 03, 2005
Summary：
【課題】 研磨圧力を低下させても比較的高いスループットを実現できる埋め込み配線構造の形成方法を提供する。【解決手段】 埋め込み配線構造の形成に際しては、半導体基板100上の絶縁層101に形成された溝102を埋め尽くすように、絶縁層101上にCu層105を形成し、Cu層105表面の酸化により生成された酸化層106を除去し、Cu層105上に酸化層106よりも機械的に脆弱な材料からなるキャップ層107を形成し、CMP法を用いて、溝102内にCu層105を残すように、キャップ層107、及び、Cu層105の一部を除去する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体基板上の絶縁層に形成された溝を埋め尽くすように、前記絶縁層上にCuを主成分とする導電層を形成する工程と、 前記導電層表面の酸化により生成された酸化層を除去する工程と、 前記導電層上に前記酸化層よりも機械的に脆弱な材料からなるキャップ層を形成する工程と、 化学的機械研磨法を用いて、前記溝内に前記導電層を残すように、前記キャップ層、及び、前記導電層の一部を除去する工程と を有することを特徴とする埋め込み配線構造の形成方法。
IPC (2)：
H01L21/3205 ,  H01L21/304
FI (3)：
H01L21/88 K ,  H01L21/304 622X ,  H01L21/88 B
F-Term (30)：
5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033LL08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP22 ,  5F033PP23 ,  5F033PP24 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ49 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ90 ,  5F033QQ94 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033WW03 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX20 ,  5F033XX24
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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