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J-GLOBAL ID：200903092412731791

ダイヤモンド単結晶基材及びその製造方法

Inventor： 大島 秀夫 ,  松木 竜一
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社
Agent (7)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  青山 正和 ,  江口 昭彦 ,  杉浦 秀幸 ,  村山 靖彦 ,  柳井 則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003065124
Publication number (International publication number)：2004292172
Application date： Mar. 11, 2003
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：

【課題】例えばダイヤモンド単結晶を気相から合成してエピタキシャル成長させていくときに、欠陥や異常成長が生じるのを抑制する。【解決手段】表面に、ダイヤモンド単結晶が気相から合成されてエピタキシャル成長させられていくダイヤモンド単結晶基材において、表面に存在している少なくとも200nm以下の周期を有する凹凸のP-Vを4nm以下に設定する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

表面に存在している少なくとも200nm以下の周期を有する凹凸のP-Vが4nm以下に設定されていることを特徴とするダイヤモンド単結晶基材。

IPC (2)：

C30B29/04 ,  C23C16/27

FI (3)：

C30B29/04 Q ,  C30B29/04 E ,  C23C16/27

F-Term (18)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DB19 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077ED04 ,  4G077EE01 ,  4G077HA14 ,  4G077HA20 ,  4G077TA04 ,  4G077TB07 ,  4G077TK04 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030CA01 ,  4K030DA02 ,  4K030FA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ダイヤモンドの気相成長法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-254376   Applicant：住友電気工業株式会社
• 気相合成ダイヤモンド薄膜の表面研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-314925   Applicant：三菱マテリアル株式会社