半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河村洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994233179
Publication number (International publication number)：1996097468
Application date： Sep. 28, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 p側電極とコンタクト層の接触抵抗を小さくして、動作電圧の低い半導体発光素子を提供する。【構成】基板1上に少なくともn型層およびp型層を含み発光部を有するとともに、チッ化ガリウム系化合物半導体層3、4、5、6が積層され、前記n型層およびp型層にそれぞれ接続されるn側電極9およびp側電極8が設けられてなる半導体発光素子であって、前記p側電極が設けられるコンタクト層7の表面がp型In<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0<x<1)、p型GaAs、p型GaP、p型In<SB>y</SB>Ga<SB>1-y </SB>As(0<y<1)またはp型In<SB>y </SB>Ga<SB>1-y </SB>P(0<y<1)である。

Claim (excerpt)：

基板上に少なくともn型層およびp型層を含み発光部を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層が積層されるとともに、前記n型層およびp型層にそれぞれ接続されるn側電極およびp側電極が設けられてなる半導体発光素子であって、前記p側電極が設けられる半導体層の少なくとも電極側表面がp型In<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(0<x<1)である半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-033659 Applicant：住友化学工業株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-203084 Applicant：日本電信電話株式会社
特開平3-203388

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