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J-GLOBAL ID：200903092599985791

ハフニウム系酸化膜形成材料

Inventor： 町田 英明 ,  星野 麻子
Applicant, Patent owner： 株式会社トリケミカル研究所
Agent (1)： 宇高 克己
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000282198
Publication number (International publication number)：2002093804
Application date： Sep. 18, 2000
Publication date： Mar. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】 綺麗なハフニウム系膜を効率良く形成できる技術を提供することである。【解決手段】 (R1R2N)4Hfで表される化合物を用いる。

Claim (excerpt)：

(R1R2N)4Hf〔但し、R1,R2はアルキル基、及びシリコン系化合物の基の群の中から選ばれるものであり、R1とR2とは互いに異なっていても同じであってもよい。〕で表される化合物からなることを特徴とするハフニウム系酸化膜形成材料。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 29/78 301 G

F-Term (17)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA18 ,  4K030BA01 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  5F040DA19 ,  5F040ED03 ,  5F040FC00 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF27 ,  5F058BJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 多成分金属含有物質の堆積のため液体前駆体混合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-111498   Applicant：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
• シリコン酸化膜の製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-090404   Applicant：株式会社高純度化学研究所

Cited by examiner (1)

• 多成分金属含有物質の堆積のため液体前駆体混合物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-111498   Applicant：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド