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J-GLOBAL ID：200903092630775598

導電構造およびその形成

Inventor：
マリア・ロネイ

About マリア・ロネイ


Applicant, Patent owner：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

About インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション


Agent (1)： 合田 潔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996335409
Publication number (International publication number)：1997186238
Application date： Dec. 16, 1996
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：
【要約】【課題】 集積回路チップの相互接続配線のための導電構造およびその作製方法を提供する。【解決手段】 Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Wおよびそれらの合金よりなる接着層M18と、Al-希土類元素合金またはAl-Y合金よりなる層20とを有している。これらの層は、加熱処理して、1つの層にすることができる。AlCu,AlCuSi,またはAlCuGe合金よりなる層22を付加し、加熱処理して、下側の層と1つの層を形成することができる。本発明は、MAl3または他のMアルミナイド(aluminide)の形成を低減することによって、これらを研磨する問題を、研磨くずのサイズを減少させることによってスクラッチ発生の問題を、研磨中にCuメッキすることの問題を、それぞれ克服している。本発明は、成形充填を改善する。
Claim (excerpt)：
底部および側壁を持つリセスを有する誘電体基板と、前記リセスの底部および側壁の上に形成され、Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,W,およびそれらの合金よりなるグループから選ばれた材料であって、前記底部および側壁に接着性を与える働きをする材料よりなる第1の層と、前記第1の層の上に形成され、Al-希土類元素合金およびAl-Y合金よりなるグループから選ばれた第2の層とを備え、前記Al-希土類元素合金の希土類元素は、0.02〜5原子パーセントの範囲にあり、前記Al-Y合金のYは、0.02〜5原子パーセントの範囲にある、ことを特徴とする導電構造。
IPC (3)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205
FI (3)：
H01L 21/90 D ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/88 N
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-285373   Applicant：日本電気株式会社
  • アルミニウム合金配線材料
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-154099   Applicant：株式会社高純度化学研究所
  • 特開昭55-157238

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