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J-GLOBAL ID：200903092774262374

装置およびそれを用いたデータ処理方法

Inventor： 河原 尊之 ,  宮▲崎▼ 祐行 ,  後藤 康 ,  横山 夏樹 ,  尾内 享裕
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (2)： 作田 康夫 ,  井上 学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003387359
Publication number (International publication number)：2005150485
Application date： Nov. 18, 2003
Publication date： Jun. 09, 2005
Summary：

【課題】 機能を変更できるLSIに係り、特に、MEMSスイッチを用いて回路の接続を変更して機能を変更するシステムLSIを実現する。【解決手段】 オン状態の抵抗が数Ω以下と非常に小さく、オフ状態の抵抗が無限大と、理想的なスイッチング特性を示し、かつ状態を保持できる双安定な(バイステイブルな)MEMSスイッチを用い、しかも、このMEMSスイッチをCMOS半導体の配線層を利用して作成することにより、動作中に機能を変更できる素子を作成する。【効果】 機能変更の自由度が高く、高速かつ低面積な半導体装置を実現できる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

少なくとも1つの可変論理ゲートアレイユニットを具備して成り、 該可変論理ゲートアレイユニットの少なくとも1つは、該可変論理ゲートアレイユニット内の接続を切り替えるための機械素子スイッチを含んで成り、 該機械素子スイッチは、2つの安定な状態である双安定な状態を取ることが可能であることを特徴とする装置。

IPC (4)：

H01L21/822 ,  H01L21/82 ,  H01L27/04 ,  H03K19/173

FI (5)：

H01L27/04 M ,  H03K19/173 ,  H01L27/04 U ,  H01L21/82 A ,  H01L21/82 S

F-Term (37)：

5F038AV13 ,  5F038CA03 ,  5F038CA04 ,  5F038CA17 ,  5F038CD07 ,  5F038DF01 ,  5F038DF04 ,  5F038DF05 ,  5F038DF08 ,  5F038DF11 ,  5F038DF17 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ20 ,  5F064AA08 ,  5F064BB02 ,  5F064BB03 ,  5F064BB04 ,  5F064BB05 ,  5F064BB06 ,  5F064BB09 ,  5F064CC12 ,  5F064DD02 ,  5F064DD19 ,  5F064FF04 ,  5F064FF36 ,  5F064FF52 ,  5F064GG00 ,  5J042BA03 ,  5J042CA00 ,  5J042CA02 ,  5J042CA08 ,  5J042CA22 ,  5J042CA23 ,  5J042CA24 ,  5J042CA25 ,  5J042DA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 演算セル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-228721   Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-139540   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-139540   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-196112   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-016466   Applicant：株式会社日立製作所