Pat
J-GLOBAL ID:200903092803536721
薄膜トランジスタ、並びに表示装置、液晶表示装置及びそれらの作製方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004350021
Publication number (International publication number):2005210083
Application date: Dec. 02, 2004
Publication date: Aug. 04, 2005
Summary:
【課題】選択的にパターンを形成可能な方法を用いた配線の作製方法、薄膜トランジスタの作製方法、及び表示装置の作製方法に於いて、材料の利用効率を向上させ、作製工程を簡略化して作製可能な液晶表示装置及びその製造技術を提供し、配線の細線化を行う手段を提供する。【解決手段】選択的にパターンを形成可能な方法により、導電膜を絶縁膜に形成された開口部、つまり凹部と凸部の間に形成し、導電膜と絶縁膜の表面が平坦性を有することを特徴とする。その結果、導電膜及び絶縁膜を覆って形成する薄膜の段切れを防止することができる。また、開口部の幅を制御することにより、配線の微細化を達成することができる。さらに、開口部の深さを制御することにより、配線の厚膜化を達成でき、配線抵抗を低くすることができる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
第1の絶縁膜に嵌設するように設けられた導電膜と、
前記第1の絶縁膜及び前記導電膜を覆って設けられた第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に設けられた半導体膜とを有し、
前記第1の絶縁膜と、前記導電膜とは略同一平面を有していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (10):
H01L21/336
, G02F1/1343
, G02F1/1345
, G02F1/1368
, G09F9/30
, G09F9/35
, H01L29/417
, H01L29/786
, H05B33/10
, H05B33/14
FI (17):
H01L29/78 627A
, G02F1/1343
, G02F1/1345
, G02F1/1368
, G09F9/30 338
, G09F9/30 349B
, G09F9/30 349C
, G09F9/30 349E
, G09F9/30 349Z
, G09F9/30 365Z
, G09F9/35
, H05B33/10
, H05B33/14 A
, H01L29/78 617J
, H01L29/78 616K
, H01L29/78 618G
, H01L29/50 M
F-Term (191):
2H092GA40
, 2H092GA48
, 2H092GA51
, 2H092GA55
, 2H092GA59
, 2H092GA60
, 2H092JA25
, 2H092JA26
, 2H092JA31
, 2H092JA33
, 2H092JA38
, 2H092JA40
, 2H092JA42
, 2H092JB23
, 2H092JB32
, 2H092JB51
, 2H092JB52
, 2H092JB69
, 2H092JB79
, 2H092KA03
, 2H092KA04
, 2H092KA05
, 2H092KA07
, 2H092KA12
, 2H092KA13
, 2H092KA16
, 2H092KA18
, 2H092KB01
, 2H092KB02
, 2H092KB04
, 2H092KB11
, 2H092KB12
, 2H092KB24
, 2H092KB25
, 2H092MA05
, 2H092MA07
, 2H092MA08
, 2H092MA10
, 2H092MA11
, 2H092MA13
, 2H092MA15
, 2H092MA17
, 2H092MA18
, 2H092MA19
, 2H092MA20
, 2H092MA27
, 2H092MA31
, 2H092MA42
, 2H092NA14
, 2H092NA15
, 2H092NA18
, 2H092NA27
, 2H092NA28
, 2H092NA29
, 2H092PA01
, 2H092PA06
, 2H092PA08
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 3K007GA00
, 4M104AA01
, 4M104AA03
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, 4M104BB08
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, 4M104BB16
, 4M104BB17
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, 4M104BB36
, 4M104CC01
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, 4M104DD43
, 4M104DD51
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, 4M104DD53
, 4M104DD75
, 4M104EE03
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, 4M104EE17
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, 4M104GG10
, 4M104GG14
, 4M104HH09
, 4M104HH12
, 4M104HH13
, 4M104HH14
, 4M104HH16
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, 5C094AA43
, 5C094AA44
, 5C094AA48
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, 5C094BA27
, 5C094BA43
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, 5C094DB01
, 5C094DB04
, 5C094EA04
, 5C094EA05
, 5C094EA07
, 5C094EB02
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, 5C094FA01
, 5C094FA02
, 5C094FB01
, 5C094FB02
, 5C094FB12
, 5C094FB15
, 5C094GB10
, 5C094JA08
, 5F110AA16
, 5F110AA18
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, 5F110BB02
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, 5F110CC08
, 5F110DD01
, 5F110DD02
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, 5F110DD05
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, 5F110DD14
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, 5F110DD17
, 5F110DD21
, 5F110EE01
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, 5F110EE03
, 5F110EE04
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, 5F110EE14
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, 5F110EE42
, 5F110EE44
, 5F110EE45
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF04
, 5F110FF10
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF30
, 5F110FF32
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG14
, 5F110GG15
, 5F110GG16
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, 5F110GG25
, 5F110GG28
, 5F110GG29
, 5F110GG32
, 5F110GG34
, 5F110GG42
, 5F110GG43
, 5F110GG45
, 5F110GG47
, 5F110HJ12
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK09
, 5F110HK14
, 5F110HK21
, 5F110HK22
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
-
デバイス、その製造方法及び電子装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-119967
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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特開平3-159174
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