半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井出直孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992201429
Publication number (International publication number)：1994053210
Application date： Jul. 28, 1992
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】金属配線を覆うパッシベーション膜の耐湿性を高め、半導体装置の信頼性を高める。【構成】パッシベーション膜をシリコン窒化膜3、シリコン酸化膜4およびシリコン窒化膜5からなる三層構造にする。【効果】上層のシリコン窒化膜5を通して入り込んだ水をその下のシリコン酸化膜4が吸湿しても、下層のシリコン窒化膜3がその水から金属配線2を保護する。

Claim (excerpt)：

半導体基板またはその基板上に形成された半導体素子に接して薄膜形成された金属配線と、この金属配線を覆うパッシベーション膜とを備えた半導体装置において、上記パッシベーション膜は、二層のシリコン窒化膜の間にシリコン酸化膜が挟まれた三層構造に形成されたことを特徴とする半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平4-109623
特開昭61-154133
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-252412 Applicant：三洋電機株式会社

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