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J-GLOBAL ID:200903092856789931

パターン転写方法及びパターン転写装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 渡部 温
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997347319
Publication number (International publication number):1999168055
Application date: Dec. 03, 1997
Publication date: Jun. 22, 1999
Summary:
【要約】【課題】 繋ぎ合わせ不良を低減することのできるパターン転写方法を提供する。【解決手段】 マスク上のチップパターン61における隣接する主視野63、63′の端部に、同一のパターン(繋ぎパターン64aと64b)を重複して形成しておく。ウェハ上の繋ぎ部では、実質的に同じ位置に、上記繋ぎパターンを各々比較的低いドーズで重複して露光し、二回の露光の合計ドーズを繋ぎ部以外の部分のドーズと実質的に等しくする。ウェハ上で繋ぎ合わされる2つのパターン像に少々ズレがあっても、ズレを2つに振り分けてうまくなぞるような形で繋ぎ合わせ部のパターンが連続するので、繋ぎ合わせ精度を向上させることができる。
Claim (excerpt):
感応基板上に転写すべきパターンを複数の小領域に分割してマスク上に形成し、このマスクを照明するエネルギ線を成形開口を通して成形し、この成形開口の像を、連続スキャン又はステップアンドリピートにより、マスク上を移動させながら照明し、マスクを通過したエネルギ線のパターン像を感応基板上に投影して転写するパターン転写方法であって;感応基板上で隣接する二つの小領域の繋ぎ部について、マスク上の対応する二つの小領域の端部に同一のパターンを重複して形成しておき、上記繋ぎ部については、感応基板上で実質的に同じ位置に上記繋ぎパターンを上記マスク上の二つの小領域から重複して露光することを特徴とするパターン転写方法。
IPC (3):
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  H01J 37/147
FI (5):
H01L 21/30 541 S ,  G03F 7/20 521 ,  H01J 37/147 C ,  H01L 21/30 541 J ,  H01L 21/30 541 M
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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