窒化物半導体レ-ザ素子の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998361742
Publication number (International publication number)：2000082867
Application date： Dec. 21, 1998
Publication date： Mar. 21, 2000
Summary：

【要約】【目的】劈開により活性層の端面に共振面が形成された窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。【構成】窒化物半導体レーザのリッジを形成する際、そのリッジを窒化物半導体のM面と平行に形成し、このリッジに対して垂直にA面で劈開することにより共振面を形成する。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体よりなる基板上にレーザ素子の構造を積層した後、その基板を【外1】【外2】【外3】【外4】【外5】【外6】面内のいずれかの面方位で割ることにより半導体レーザ素子の光共振面を作製することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。

IPC (3)：

H01S 5/323 , H01S 5/10 , H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 673 , H01S 3/18 640 , H01L 33/00 C

F-Term (7)：

5F041AA14 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F073AA13 , 5F073CB02 , 5F073DA32

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置と半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-330779 Applicant：ソニー株式会社
サファイア基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-203056 Applicant：ソニー株式会社
半導体レーザ素子及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-041583 Applicant：株式会社日立製作所

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