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J-GLOBAL ID：200903092875703096

酸化膜の形成方法及びp形半導体素子の製造方法

Inventor：
片岡 豊隆

About 片岡 豊隆


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999015781
Publication number (International publication number)：2000216154
Application date： Jan. 25, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：
【要約】【課題】薄い酸化膜を安定して加湿酸化法にて形成することができ、しかも、p形半導体素子のゲート電極形成におけるボロン原子の拡散を確実に抑制することを可能にする酸化膜の形成方法を提供する。【解決手段】酸化膜の形成方法は、(イ)水素ガス及び酸素ガスに電磁波を照射することによって水蒸気を生成させ、該水蒸気を用いて半導体層の表面を酸化し、以て半導体層の表面に酸化膜を形成する工程と、(ロ)窒素系ガスに電磁波を照射することによって生成した励起状態の窒素分子若しくは窒素分子イオンにより該酸化膜の表面を窒化する工程と、(ハ)表面が窒化された酸化膜を熱処理する工程から成る。
Claim (excerpt)：
(イ)水素ガス及び酸素ガスに電磁波を照射することによって水蒸気を生成させ、該水蒸気を用いて半導体層の表面を酸化し、以て半導体層の表面に酸化膜を形成する工程と、(ロ)窒素系ガスに電磁波を照射することによって生成した励起状態の窒素分子、窒素分子イオン、窒素原子若しくは窒素原子イオンにより該酸化膜の表面を窒化する工程と、(ハ)表面が窒化された酸化膜を熱処理する工程、から成ることを特徴とする酸化膜の形成方法。
IPC (7)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/318 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/80
FI (6)：
H01L 21/316 S ,  H01L 21/268 E ,  H01L 21/318 A ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 617 V ,  H01L 29/80 W
F-Term (52)：
5F040DA00 ,  5F040DA06 ,  5F040DB03 ,  5F040DC01 ,  5F040EB12 ,  5F040EC07 ,  5F040ED01 ,  5F040ED05 ,  5F040EF02 ,  5F040EH05 ,  5F040EK01 ,  5F040EK05 ,  5F040FC00 ,  5F040FC05 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF55 ,  5F058BF63 ,  5F058BF72 ,  5F058BF74 ,  5F058BH01 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10 ,  5F110AA08 ,  5F110AA14 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110EE09 ,  5F110EE28 ,  5F110EE32 ,  5F110FF02 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF31 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG52 ,  5F110GG57 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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