ダイヤモンド薄膜のECRプラズマエッチング方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：明田莞
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994147947
Publication number (International publication number)：1996017801
Application date： Jun. 29, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】ダイヤモンド薄膜をそのエッチング面が突起を生じることなく平滑にエッチングすることができるとともに、エッチング速度に関しその再現性や制御性が良いECRプラズマエッチング処理を行えるようにすること。【構成】真空容器内に印加する磁場としてミラー磁場を形成し、試料基板にバイアス電圧を印加するとともに冷却を施し、反応ガスとして酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスでその酸素ガス濃度範囲が 2〜20vol %である混合ガスを用い、反応ガス圧力が10mTorr 以下、マイクロ波パワー面密度が2.0W/cm2以下にて試料基板上のダイヤモンド薄膜をエッチング処理する、もしくは、反応ガスとして酸素ガス単体、あるいは酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスでその酸素ガス濃度範囲が20vol %超えである混合ガスを用い、反応ガス圧力が10〜50mTorr 、マイクロ波パワー面密度が5.0W/cm2以下にて前記ダイヤ薄膜をエッチング処理する。前記磁場として発散磁場を用いるようにしてもよい。

Claim (excerpt)：

磁場を印加した真空容器内に反応ガスを導入するとともにマイクロ波導入窓からマイクロ波を導入し、前記磁場とマイクロ波により発生する電場とによって起こる電子サイクロトロン共鳴(ECR)現象を利用して反応ガスをプラズマ化し、生成されたプラズマ中のイオンを真空容器内に配置された試料基板に照射してその試料基板上のダイヤモンド薄膜をエッチング処理するダイヤモンド薄膜のECRプラズマエッチング方法において、前記真空容器内に印加する前記磁場としてミラー磁場を形成し、このミラー磁場の中央部付近に前記試料基板を配置し、その試料基板にバイアス電圧を印加するとともに冷却を施し、反応ガスとして酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスでその酸素ガス濃度範囲が2〜20vol%である混合ガスを用い、反応ガス圧力が10mTorr以下、マイクロ波パワー面密度が2.0W/cm2 以下にて前記ダイヤモンド薄膜をエッチング処理すること、もしくは、反応ガスとして酸素ガス単体、あるいは酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスでその酸素ガス濃度範囲が20vol%超えである混合ガスを用い、反応ガス圧力が10〜50mTorr、マイクロ波パワー面密度が5.0W/cm2 以下にて前記ダイヤモンド薄膜をエッチング処理することを特徴とするダイヤモンド薄膜のECRプラズマエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , G01R 33/64

FI (3)：

H01L 21/302 B , H01L 21/302 F , G01N 24/14 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

ダイヤモンドのエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-278548 Applicant：住友電気工業株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-015335 Applicant：株式会社神戸製鋼所, ティーディーケイ株式会社
プラズマエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-186383 Applicant：株式会社日立製作所

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