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J-GLOBAL ID:200903092986434043
赤外線検出器及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
宮田 金雄 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995328672
Publication number (International publication number):1997166497
Application date: Dec. 18, 1995
Publication date: Jun. 24, 1997
Summary:
【要約】【課題】 半導体製造ラインで使用される材料を使用して、高いTCRを有するとともに、適度の大きさの抵抗を有し、かつ1/fノイズが小さな高性能の赤外線検出器及びその製造方法を提供する。【解決手段】 絶縁物からなる絶縁薄膜3上に島状に形成された複数の半導体層1と、半導体層1それぞれに設けられ、外部バイアス電圧に対して順バイアスの接合部5と逆バイアスの接合部6とを介して複数の半導体層1を直列に連結する金属薄膜2を備えた赤外線検出器とする。
Claim (excerpt):
絶縁物からなる絶縁薄膜、この絶縁薄膜上に形成された複数の半導体層、この半導体層それぞれに設けられ、外部バイアス電圧に対して順バイアスの接合部と逆バイアスの接合部、この接合部を介して上記複数の半導体層を直列に連結する金属薄膜を備えたことを特徴とする赤外線検出器。
IPC (2):
FI (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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特開昭63-081984
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赤外線センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-006003
Applicant:テルモ株式会社, 木村光照
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特開昭55-059319
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特開昭57-098824
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-042960
Applicant:株式会社東芝
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半導体薄膜サーミスタおよび赤外線検出素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-068121
Applicant:松下電工株式会社
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特開平4-291969
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半導体装置の素子領域分離構造とその形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-178901
Applicant:富士通株式会社
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