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J-GLOBAL ID：200903093014071885

半導体発光装置

Inventor：
井上 登美男

About 井上 登美男


Applicant, Patent owner：
松下電子工業株式会社

About 松下電子工業株式会社


Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999157910
Publication number (International publication number)：2000349342
Application date： Jun. 04, 1999
Publication date： Dec. 15, 2000
Summary：
【要約】【課題】 単色及びフルカラーの液晶パネル等を一様に高輝度で発光させることができる半導体発光装置を提供すること。【解決手段】 化合物半導体を利用した発光素子1と、この発光素子1より大きな形状を持ち且つ発光素子1の少なくとも主光取り出し面からの光を取り込んで発光先へ配光する配光ヘッド3とを備え、配光ヘッド3には、発光素子1の主光取り出し面のほぼ法線方向への配光分布を、前記法線とほぼ直交する方向への配光分布より小さく設定可能な光透過構造を備える。
Claim (excerpt)：
化合物半導体を利用した発光素子と、前記発光素子より大きな形状を持ち且つ前記発光素子の少なくとも主光取り出し面からの光を取り込んで発光先へ配光する配光ヘッドとを備え、前記配光ヘッドは、前記発光素子の主光取り出し面のほぼ法線方向への配光分布を、前記法線とほぼ直交する方向への配光分布より小さく設定可能な光透過構造を備えていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  F21V 8/00 601
FI (2)：
H01L 33/00 N ,  F21V 8/00 601 D
F-Term (12)：
5F041AA05 ,  5F041CA40 ,  5F041DA09 ,  5F041DA16 ,  5F041DA20 ,  5F041DA43 ,  5F041DA56 ,  5F041DA81 ,  5F041DC76 ,  5F041DC81 ,  5F041EE25 ,  5F041FF16
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 特開平4-029379
  • 発光デバイスの製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-109985   Applicant：日亜化学工業株式会社
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-125033   Applicant：豊田合成株式会社
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