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J-GLOBAL ID：200903093037754157

磁気検出素子及びその製造方法

Inventor：
長谷川 直也

About 長谷川 直也


Applicant, Patent owner：
アルプス電気株式会社

About アルプス電気株式会社


Agent (1)： 野▲崎▼ 照夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001305143
Publication number (International publication number)：2003110168
Application date： Oct. 01, 2001
Publication date： Apr. 11, 2003
Summary：
【要約】【課題】 狭トラック化においても適切にフリー磁性層の磁化制御を行うことができ、再生特性に優れた磁気検出素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 フリー磁性層26の中央部上にスペキュラー層31及び非磁性層32を有し、前記フリー磁性層26の両側端部上に強磁性層28及び第2反強磁性層29が設けられている。本発明ではスペキュラー層31や非磁性層32などの総合膜厚h1を薄く形成でき、前記フリー磁性層26の両側端部上の各層をイオンミリングして除去する工程で、前記イオンミリングを低エネルギーで行うことができ、前記フリー磁性層26の両側端部表面がダメージを受け難くでき、前記フリー磁性層26の両側端部上の強磁性層28との間で発生する強磁性的な結合を強めることができ、適切に前記フリー磁性層26の磁化制御を行うことが可能である。
Claim (excerpt)：
下から第1反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層の順に積層形成され、前記フリー磁性層の中央部上には下から順にスペキュラー層、非磁性層が設けられ、前記フリー磁性層のトラック幅方向の両側端部上には、下から順に強磁性層、第2反強磁性層が設けられていることを特徴とする磁気検出素子。
IPC (6)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12
FI (6)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R
F-Term (10)：
2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034CA08 ,  5D034DA07 ,  5E049BA16 ,  5E049DB12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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