ハイブリダイゼーション用基板及びその使用方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：塩澤寿夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002095132
Publication number (International publication number)：2003294742
Application date： Mar. 29, 2002
Publication date： Oct. 15, 2003
Summary：

【要約】【課題】表面被覆率及び活性度を高めた核酸鎖を固定化したハイブリダイゼーション用基板、この基板を用いた相補性試験方法の提供。【解決手段】一部が基板表面に固定されており、一部が一本鎖である主幹鎖核酸、及び一本鎖の一部に部分的にハイブリダイズしているプローブ用一本鎖核酸を含む樹状核酸鎖を基板表面に有するハイブリダイゼーション用基板。一部が基板表面に固定されており、一部が一本鎖である主幹鎖核酸、一本鎖の一部に部分的にハイブリダイズしている一本鎖である副幹鎖核酸、並びに主幹鎖核酸の一本鎖の一部に部分的にハイブリダイズしているプローブ用一本鎖核酸及び/又は副幹鎖核酸の一部に部分的にハイブリダイズしているプローブ用一本鎖核酸を含む樹状核酸鎖を基板表面に有するハイブリダイゼーション用基板。前記基板の樹状核酸鎖を固定化した表面にターゲット核酸を接触させ、ターゲット核酸とプローブ用核酸またはプローブ領域との相補性を試験する方法。

Claim (excerpt)：

少なくとも一部が基板表面に固定されており、かつ少なくとも一部が一本鎖である主幹鎖核酸、及び前記主幹鎖核酸の一本鎖の少なくとも一部に部分的にハイブリダイズしている少なくとも1つのプローブ用一本鎖核酸を含む樹状核酸鎖を基板表面に有する、ハイブリダイゼーション用基板。

IPC (6)：

G01N 33/53 , C12M 1/00 , C12N 15/09 ZNA , C12Q 1/68 , G01N 33/566 , G01N 37/00 102

FI (6)：

G01N 33/53 M , C12M 1/00 A , C12Q 1/68 A , G01N 33/566 , G01N 37/00 102 , C12N 15/00 ZNA F

F-Term (14)：

4B024AA19 , 4B024AA20 , 4B024CA09 , 4B024HA14 , 4B024HA19 , 4B029AA07 , 4B029FA12 , 4B063QA13 , 4B063QQ42 , 4B063QR32 , 4B063QR55 , 4B063QS34 , 4B063QX02 , 4B063QX04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

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