Pat
J-GLOBAL ID:200903093062278483
画像読取装置及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鹿嶋 英實
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999252796
Publication number (International publication number):2001077342
Application date: Sep. 07, 1999
Publication date: Mar. 23, 2001
Summary:
【要約】【課題】 表示装置を併せ持つ画像読取装置を小型軽量化するとともに、安価に製造することができる画像読取装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る画像読取装置は、フォトセンサアレイ100Fを構成するダブルゲート型トランジスタ(群)10Fと、液晶表示装置のスイッチング素子に適用されるトランジスタアレイ100Lを構成する薄膜トランジスタ(群)10Lが、単一のガラス基板19上に、同一の工程で同時に形成された構成を有している。
Claim (excerpt):
単一の絶縁性基板上に、第1の半導体層を挟んで対向して設けられた第1のソース電極及びドレイン電極と、前記第1の半導体層の下方側に、第1の絶縁膜を介して設けられたボトムゲート電極と、前記第1の半導体層の上方側に、第2の絶縁膜を介して設けられたトップゲート電極と、を備えたダブルゲート構造を有するフォトセンサと、第2の半導体層を挟んで対向して設けられた第2のソース電極及びドレイン電極と、前記第2の半導体層の下方側に前記第1の絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記第2の半導体層の上方側に、前記第2の絶縁膜を介して、前記第2のソース電極に電気的に接続された画素電極と、を備えた薄膜トランジスタと、を形成したことを特徴とする画像読取装置。
IPC (7):
H01L 27/146
, A61B 5/117
, G01B 11/24
, G02F 1/1365
, G06T 1/00
, H01L 29/786
, H04N 5/335
FI (8):
H01L 27/14 C
, H04N 5/335 U
, A61B 5/10 322
, G01B 11/24 A
, G02F 1/136 500
, G06F 15/64 G
, H01L 29/78 617 N
, H01L 29/78 622
F-Term (109):
2F065AA51
, 2F065BB02
, 2F065BB05
, 2F065CC16
, 2F065DD00
, 2F065DD02
, 2F065DD12
, 2F065DD16
, 2F065FF42
, 2F065GG12
, 2F065HH12
, 2F065JJ03
, 2F065JJ08
, 2F065JJ26
, 2F065LL01
, 2F065LL21
, 2F065LL33
, 2F065NN01
, 2F065SS02
, 2F065SS13
, 2H092GA61
, 2H092JA24
, 2H092JA29
, 2H092JA38
, 2H092JA42
, 2H092JA46
, 2H092JA47
, 2H092JB13
, 2H092JB23
, 2H092JB32
, 2H092JB38
, 2H092JB77
, 2H092KA05
, 2H092KA07
, 2H092KA16
, 2H092KA18
, 2H092MA07
, 2H092MA13
, 2H092MA17
, 2H092MA27
, 2H092MA35
, 2H092MA37
, 2H092MA41
, 2H092NA25
, 2H092NA28
, 2H092NA29
, 2H092PA06
, 2H092PA07
, 2H092QA06
, 2H092RA10
, 4C038FF01
, 4C038FF05
, 4C038FG01
, 4M118AA10
, 4M118AB10
, 4M118BA14
, 4M118CA09
, 4M118CB06
, 4M118CB14
, 4M118DB01
, 4M118DD12
, 4M118FB09
, 4M118FB13
, 4M118GA02
, 4M118GA03
, 4M118GB15
, 4M118GC08
, 4M118HA20
, 5B047AA25
, 5B047BA02
, 5B047BB04
, 5B047BC01
, 5B047BC06
, 5B047BC12
, 5B047CB11
, 5C024AA03
, 5C024AA18
, 5C024CA31
, 5C024FA01
, 5C024GA01
, 5C024GA31
, 5C024HA27
, 5C024JA04
, 5F110AA04
, 5F110AA16
, 5F110BB01
, 5F110BB10
, 5F110CC01
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110EE04
, 5F110EE07
, 5F110EE43
, 5F110EE44
, 5F110FF01
, 5F110FF03
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG15
, 5F110GG44
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK33
, 5F110NN12
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN45
, 5F110NN74
, 5F110QQ08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
-
密着型2次元ホトセンサおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-279262
Applicant:株式会社日立製作所
-
フォトセンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-107711
Applicant:カシオ計算機株式会社
-
アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-096110
Applicant:日本電気株式会社
-
特開平4-088586
-
読取装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-078575
Applicant:カシオ計算機株式会社
-
アクティブマトリクス型表示装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-112583
Applicant:株式会社東芝
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