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J-GLOBAL ID：200903093072878152

エッチング方法

Inventor：
吉田 和由

About 吉田 和由


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 宮越 典明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998092115
Publication number (International publication number)：1999288920
Application date： Apr. 03, 1998
Publication date： Oct. 19, 1999
Summary：
【要約】【課題】 エッチング残渣を生じさせないエッチング方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板にガスプラズマエッチングにより溝を形成するエッチング方法において、前記半導体基板にエッチングのための所定の前処理を施す手段と、所定の初期設定を持つエッチング条件下でガスプラズマエッチングを実施する手段と、前記実施されるガスプラズマエッチングに付随して生じる発光スペクトルを検出し、かつ分析する手段と、前記分析手段による分析結果を監視する手段を有し、そして、前記エッチングを実施する過程において、前記発光スペクトル分析結果の監視結果に基づいて、前記エッチング条件の更新を含めて、前記ガスプラズマエッチング手段を制御するエッチング方法。この方法に使用するエッチング装置は、チャンバ-1,発光スペクトル分析装置11,エッチングを制御する操作部12より構成されている。
Claim (excerpt)：
半導体基板にガスプラズマエッチングにより溝を形成するエッチング方法において、(1) 前記半導体基板にエッチングのための所定の前処理を施す手段と、(2) 所定の初期設定を持つエッチング条件下でガスプラズマエッチングを実施する手段と、(3) 前記実施されるガスプラズマエッチングに付随して生じる発光スペクトルを検出し、かつ分析する手段と、(4) 前記分析手段による分析結果を監視する手段と、を有し、前記エッチングを実施する過程で、前記発光スペクトル分析結果の監視結果に基づいて、前記エッチング条件の更新を含めて、前記ガスプラズマエッチング手段を制御すること、を特徴とするエッチング方法。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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