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J-GLOBAL ID：200903093157446472

III-V族化合物半導体素子の製造方法

Inventor：
小沢 正文

About 小沢 正文


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996280455
Publication number (International publication number)：1998125655
Application date： Oct. 23, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：
【要約】【課題】 n側電極のオーミック接触抵抗が低い窒素系III -V族化合物半導体素子を製造する方法を提供する。【解決手段】 周期律表の第V族元素として窒素を含むn型III -V族化合物半導体層上に電極を形成するに当たり、化合物半導体層の電極形成面のストイキオメトリが低い窒素比率になるように化合物半導体層の電極形成面を処理し、その後、電極層を成膜する。好適には、エッチング速度が70nm/min以下の条件で反応性化学エッチングをn型化合物半導体層の電極形成面に施して、電極形成面のストイキオメトリが低い窒素比率になるようにする。また、別法として800°C以上の熱処理をn型化合物半導体層の電極形成面に施して、電極形成面のストイキオメトリが低い窒素比率になるようにする。
Claim (excerpt)：
周期律表の第V族元素として窒素を含むn型III -V族化合物半導体層上に電極を形成するに当たり、化合物半導体層の電極形成面のストイキオメトリが低い窒素比率になるように化合物半導体層の電極形成面を処理し、次いで、その電極形成面上に電極層を成膜することを特徴とするIII -V族化合物半導体素子の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/3065 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (3)：
H01L 21/302 F ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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