半導体装置及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001167672
Publication number (International publication number)：2002367981
Application date： Jun. 04, 2001
Publication date： Dec. 20, 2002
Summary：

【要約】【課題】平滑で特性に優れた絶縁膜を再現性よく作製できる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】ゲート絶縁膜24を製造するときに、オゾンガス雰囲気中で、シリコンとIII族元素又はIV族元素とを蒸着し、その際に基板表面に供給されるオゾンの分子数を、基板表面に供給されるシリコンの原子数と同じかそれより多くし、好ましくは5倍以上として行なう半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

基板上に、オゾンガス雰囲気中で、シリコンとIII族元素又はIV族元素とを蒸着して絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、上記基板表面に供給される上記オゾンの分子数は、上記基板表面に供給される上記シリコンの原子数と同じかそれより多いことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/316 , H01L 21/822 , H01L 21/8234 , H01L 27/04 , H01L 27/088 , H01L 29/78

FI (4)：

H01L 21/316 B , H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 102 C , H01L 27/04 C

F-Term (23)：

5F038AC15 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F048AA07 , 5F048AC01 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F058BC02 , 5F058BC03 , 5F058BF17 , 5F058BF29 , 5F058BF54 , 5F058BJ01 , 5F140AA05 , 5F140AA19 , 5F140AA24 , 5F140AB09 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD15 , 5F140BE09 , 5F140BE20 , 5F140CB01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

珪酸塩高誘電率材料の真空蒸着
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-375450 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
金属化合物薄膜の気相堆積方法及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-150289 Applicant：日本電気株式会社
強誘電体薄膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-241295 Applicant：株式会社日立製作所

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