固体撮像素子及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松隈秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999222692
Publication number (International publication number)：2001053260
Application date： Aug. 05, 1999
Publication date： Feb. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】 MOS型の固体撮像素子における感度の向上、低電圧での完全転送等を可能にする。【解決手段】 pn接合型のセンサ部21と少なくとも読み出し用トランジスタ22を有する画素が配列されてなる固体撮像素子であって、所定深さ位置の第1の第1導電型半導体ウエル領域52と素子分離層53下の第2の第1導電型半導体ウエル領域54とにて囲まれた第2導電型半導体領域55の表面側に読み出し用トランジスタ22のゲート57を挟んでセンサ部21を構成する第2導電型の電荷蓄積領域62と、読み出し用トランジスタ22の第2導電型のソース・ドレイン領域61とが形成され、ソース・ドレイン領域61下に(あるいは、ソース・ドレイン領域下、ゲート下及び電荷蓄積領域下に)、第1導電型半導体領域71が形成されて成る。

Claim (excerpt)：

pn接合型のセンサ部と少なくとも読み出し用トランジスタを有する画素が配列されてなる固体撮像素子であって、所定深さ位置の第1の第1導電型半導体ウエル領域と、素子分離層下の第2の第1導電型半導体ウエル領域とにて囲まれた第2導電型半導体領域の表面側に、前記読み出し用トランジスタのゲートを挟んで前記センサ部を構成する第2導電型の電荷蓄積領域と、前記読み出し用トランジスタの第2導電型のソース・ドレイン領域とが形成され、前記電荷蓄積領域、前記ゲート下及び前記ソース・ドレイン領域と、前記第2導電型半導体領域との間に第1導電型半導体領域が形成されて成ることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2)：

H01L 27/146 , H04N 5/335

FI (3)：

H01L 27/14 A , H04N 5/335 F , H04N 5/335 U

F-Term (23)：

4M118AA01 , 4M118AA03 , 4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA04 , 4M118CA18 , 4M118EA01 , 4M118EA06 , 4M118EA07 , 4M118EA14 , 4M118EA15 , 4M118FA06 , 4M118FA26 , 4M118FA28 , 4M118FA33 , 5C024AA01 , 5C024CA12 , 5C024CA16 , 5C024CA31 , 5C024FA01 , 5C024FA11 , 5C024GA31

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

固体撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-317833 Applicant：株式会社東芝
固体撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-326963 Applicant：株式会社東芝
特開昭62-023156

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Cited by examiner (1)

固体撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-317833 Applicant：株式会社東芝

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