Pat
J-GLOBAL ID:200903093248875678
半導体装置及びその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
外川 英明
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003048515
Publication number (International publication number):2004259906
Application date: Feb. 26, 2003
Publication date: Sep. 16, 2004
Summary:
【課題】絶縁膜のリーク電流を低減することが可能な金属シリケート膜などを用いた半導体装置とその簡便な製造方法の提供。【解決手段】シリコン基板10と、シリコン基板10上に形成された、シリコン、酸素、窒素、及び金属を含有するゲート絶縁膜12’であって、シリコン基板10に接する第1の層領域と、ゲート絶縁膜12’の第1の層領域と反対側の第2の層領域と、第1および第2の層領域の間にある第3の層領域を備え、前記第3の層領域における金属の最大濃度が第1及び第2の層領域における金属の濃度の最小値よりも高く、第3の層領域における窒素の最大濃度が第1及び第2の層領域における窒素の濃度の最小値よりも高いゲート絶縁膜と、第2の層領域に接するゲート電極と、ゲート絶縁膜の両脇に形成された一対のソース/ドレイン領域を備えることを特徴とする半導体装置を提供する。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
シリコン基板と、
前記シリコン基板上に形成された、シリコン、酸素、窒素、及び金属を含有するゲート絶縁膜であって、前記シリコン基板に接する第1の層領域と、前記ゲート絶縁膜の第1の層領域と反対側の第2の層領域と、前記第1および第2の層領域の間にある第3の層領域を備え、前記第3の層領域における前記金属の最大濃度が前記第1及び第2の層領域における前記金属の濃度の最小値よりも高く、前記第3の層領域における前記窒素の最大濃度が前記第1及び第2の層領域における前記窒素の濃度の最小値よりも高い前記ゲート絶縁膜と、
前記第2の層領域に接するゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜の両脇に形成された一対のソース/ドレイン領域を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
FI (2):
H01L29/78 301G
, H01L21/316 P
F-Term (37):
4K029AA06
, 4K029AA24
, 4K029BA64
, 4K029BD01
, 4K030BA35
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030LA11
, 4K030LA15
, 5F058BA01
, 5F058BA20
, 5F058BC03
, 5F058BD05
, 5F058BF02
, 5F058BF11
, 5F058BF12
, 5F058BF36
, 5F058BH04
, 5F058BJ01
, 5F140AA24
, 5F140BA01
, 5F140BD11
, 5F140BD12
, 5F140BD13
, 5F140BD15
, 5F140BD17
, 5F140BE03
, 5F140BE08
, 5F140BE09
, 5F140BE10
, 5F140BE17
, 5F140BF04
, 5F140BF11
, 5F140BF18
, 5F140BG08
, 5F140BH15
, 5F140BJ08
Patent cited by the Patent: