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J-GLOBAL ID：200903093248875678

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
平野 泉

About 平野 泉

, 
小山 正人

About 小山 正人

, 
西山 彰

About 西山 彰


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003048515
Publication number (International publication number)：2004259906
Application date： Feb. 26, 2003
Publication date： Sep. 16, 2004
Summary：
【課題】絶縁膜のリーク電流を低減することが可能な金属シリケート膜などを用いた半導体装置とその簡便な製造方法の提供。【解決手段】シリコン基板10と、シリコン基板10上に形成された、シリコン、酸素、窒素、及び金属を含有するゲート絶縁膜12’であって、シリコン基板10に接する第1の層領域と、ゲート絶縁膜12’の第1の層領域と反対側の第2の層領域と、第1および第2の層領域の間にある第3の層領域を備え、前記第3の層領域における金属の最大濃度が第1及び第2の層領域における金属の濃度の最小値よりも高く、第3の層領域における窒素の最大濃度が第1及び第2の層領域における窒素の濃度の最小値よりも高いゲート絶縁膜と、第2の層領域に接するゲート電極と、ゲート絶縁膜の両脇に形成された一対のソース/ドレイン領域を備えることを特徴とする半導体装置を提供する。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
シリコン基板と、 前記シリコン基板上に形成された、シリコン、酸素、窒素、及び金属を含有するゲート絶縁膜であって、前記シリコン基板に接する第1の層領域と、前記ゲート絶縁膜の第1の層領域と反対側の第2の層領域と、前記第1および第2の層領域の間にある第3の層領域を備え、前記第3の層領域における前記金属の最大濃度が前記第1及び第2の層領域における前記金属の濃度の最小値よりも高く、前記第3の層領域における前記窒素の最大濃度が前記第1及び第2の層領域における前記窒素の濃度の最小値よりも高い前記ゲート絶縁膜と、 前記第2の層領域に接するゲート電極と、 前記ゲート絶縁膜の両脇に形成された一対のソース/ドレイン領域を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L29/78 ,  H01L21/316
FI (2)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/316 P
F-Term (37)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA64 ,  4K029BD01 ,  4K030BA35 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030LA11 ,  4K030LA15 ,  5F058BA01 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF02 ,  5F058BF11 ,  5F058BF12 ,  5F058BF36 ,  5F058BH04 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BE03 ,  5F140BE08 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE17 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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