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J-GLOBAL ID：200903093254275895

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
藤澤 知隆

About 藤澤 知隆


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000345358
Publication number (International publication number)：2002151729
Application date： Nov. 13, 2000
Publication date： May. 24, 2002
Summary：
【要約】【課題】 半導体受光素子に反射率の低減及び表面準位濃度の低下を両立する反射防止膜を設けることにより、高受光感度の受光素子を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体受光素子PDの受光領域10において、シリコン基板1の表面に形成された第1の絶縁膜6と、その上の第1の絶縁膜6とは屈折率が異なる第2の絶縁膜7とを有する積層膜からなる反射防止膜8が形成され、第1の絶縁膜6が半導体受光素子PDの表面のシリコンを酸化することにより形成されたシリコン酸化膜から成る半導体装置を構成する。また、この半導体装置を製造するに当たり、フォトダイオードPDの受光部となるシリコン表面が露出した状態で、酸素ガス雰囲気中或いは酸素と水素の混合ガス雰囲気中において800°C以上で熱酸化することによりシリコン酸化膜6を形成する。
Claim (excerpt)：
シリコン基板上に少なくとも半導体受光素子を有する半導体装置であって、少なくとも上記半導体受光素子の受光領域において、上記シリコン基板の表面に形成された第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜の上層に形成された該第1の絶縁膜の屈折率とは異なる屈折率を有する第2の絶縁膜とを有して2層以上の積層膜からなる反射防止膜が形成され、上記第1の絶縁膜が上記半導体受光素子の表面のシリコンを少なくとも酸化することにより形成されたシリコン酸化膜から成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 31/10 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/14
FI (5)：
H01L 21/316 M ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/318 M ,  H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 D
F-Term (25)：
4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB10 ,  4M118BA06 ,  4M118CA03 ,  4M118CA34 ,  4M118CB13 ,  4M118EA01 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA02 ,  5F049NB08 ,  5F049PA05 ,  5F049PA11 ,  5F049SZ03 ,  5F049SZ04 ,  5F049WA03 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BF63 ,  5F058BJ01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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