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J-GLOBAL ID：200903093297685175

3次元量子閉じ込めを利用した半導体装置

Inventor： 向井 剛輝 ,  大塚 信幸
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995061018
Publication number (International publication number)：1996264893
Application date： Mar. 20, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 比較的簡便な製造工程で作製できる量子箱構造を有する半導体装置を提供する【構成】 半導体表面を有する基板と、前記半導体表面の上に形成され、面内方向の格子歪を有する半導体結晶からなるバッファ層と、前記バッファ層の上に散点状に配置され、面内方向の格子歪を有する半導体結晶からなる微結晶体とを有し、前記バッファ層の格子歪と前記微結晶体の格子歪のうち一方は伸び歪、他方は縮み歪である。

Claim (excerpt)：

半導体表面を有する基板と、前記半導体表面の上に形成され、面内方向の格子歪を有する半導体結晶からなるバッファ層と、前記バッファ層の上に散点状に配置され、面内方向の格子歪を有する半導体結晶からなる微結晶体とを有し、前記バッファ層の格子歪と前記微結晶体の格子歪のうち一方は伸び歪、他方は縮み歪である半導体装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/06

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体構造およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-289496   Applicant：日本電信電話株式会社
• 半導体量子箱の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-041029   Applicant：大同特殊鋼株式会社