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J-GLOBAL ID：200903093383579701

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
佐々木 圭一

About 佐々木 圭一


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000296078
Publication number (International publication number)：2002110897
Application date： Sep. 28, 2000
Publication date： Apr. 12, 2002
Summary：
【要約】【課題】 程数を削減し、低コストでの製造を可能とする改良された接続プラグ構造を有する半導体装置を提供すること。【解決手段】 半導体基板に素子が集積形成された半導体チップを層間絶縁膜を介して複数層積層してなり、これら複数の半導体チップの相互間は、前記半導体基板に設けられた貫通孔に埋め込まれた接続プラグ、およびこの接続プラグ上に設けられているバンプにより接続されている半導体装置であって、前記接続プラグおよびバンプは、400°C以上の融点を有する同一金属により、一体的に形成されていることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
半導体基板に素子が集積形成された半導体チップを層間絶縁膜を介して複数層積層してなり、これら複数の半導体チップの相互間は、前記半導体基板に設けられた貫通孔に埋め込まれた接続プラグ、およびこの接続プラグ上に設けられているバンプにより接続されている半導体装置であって、前記接続プラグおよびバンプは、400°C以上の融点を有する同一金属により、一体的に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (7)：
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 23/52
FI (6)：
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 25/08 B ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 604 B ,  H01L 23/52 C
F-Term (38)：
5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ32 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN05 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT07 ,  5F033VV07 ,  5F033WW03 ,  5F033XX17 ,  5F033XX19 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F044KK01 ,  5F044KK05 ,  5F044LL09 ,  5F044QQ02 ,  5F044QQ04 ,  5F044RR03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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