半導体素子の保護膜用ポリイミド樹脂およびそれを用いた半導体装置

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：石戸久子 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000284894
Publication number (International publication number)：2002093958
Application date： Sep. 20, 2000
Publication date： Mar. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】メサ形半導体装置10は、半導体素子101、リード102、半導体素子101とリード102を接合するはんだ103、半導体素子101の保護膜としてのポリイミド膜104、エポキシ樹脂からなる封止樹脂105から主に構成されているが、このような従来のメサ形の半導体装置10、あるいはプレーナ形の半導体装置では漏れ電流が増加し易いという欠点があった。本発明は係る欠点を解決することを課題とする。【解決手段】半導体素子の保護膜としてポリイミド膜104を備えた半導体装置10において、ポリイミド膜104が、酸化合物に対してアミン化合物を過剰に反応させて得られたポリイミド樹脂からなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

テトラカルボン酸二無水物に対してジアミン化合物を反応させて得られたものであることを特徴とする半導体素子の保護膜用ポリイミド樹脂。

IPC (4)：

H01L 23/29 , H01L 23/31 , C08G 73/10 , H01L 21/312

FI (3)：

C08G 73/10 , H01L 21/312 B , H01L 23/30 D

F-Term (23)：

4J043PA02 , 4J043PA08 , 4J043QB15 , 4J043QB26 , 4J043QB50 , 4J043SA06 , 4J043SA85 , 4J043TA21 , 4J043UA132 , 4J043UA141 , 4J043UB011 , 4J043VA012 , 4J043VA052 , 4J043XA03 , 4J043XA16 , 4J043ZB11 , 4M109AA02 , 4M109CA10 , 4M109ED03 , 5F058AA10 , 5F058AD04 , 5F058AF04 , 5F058AH03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭61-084025
特開平2-222473
特開平3-243625

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