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J-GLOBAL ID:200903093496807611

焼結体及びスパッタリングターゲット並びにその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999286738
Publication number (International publication number):2001039771
Application date: Oct. 07, 1999
Publication date: Feb. 13, 2001
Summary:
【要約】【課題】 Zn、S、Si及びOからなる焼結体の作製時にクラックや割れが発生せず、製造歩留りが高く、かつ大電力でのスパッタを行っても割れが発生しない光記録媒体の保護膜形成に有用なスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 原料粉末の硫化亜鉛と二酸化ケイ素に、酸化亜鉛を0.5〜5wt%添加し、ホットプレス焼結を行うことにより、製造歩留りが高く、高密度のスパッタリングターゲットを得る。
Claim (excerpt):
硫化亜鉛及び二酸化ケイ素を主成分とする焼結体において、亜鉛とケイ素の複酸化物をさらに含むことを特徴とする焼結体。
IPC (2):
C04B 35/547 ,  C23C 14/34
FI (2):
C04B 35/00 T ,  C23C 14/34 A
F-Term (10):
4G030AA37 ,  4G030AA56 ,  4G030BA20 ,  4G030BA23 ,  4K029BA46 ,  4K029BA51 ,  4K029BD12 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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