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J-GLOBAL ID：200903093566845354

縦型素子用基板

Inventor： 神山 栄治 ,  富山 能省
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアル株式会社 ,  財団法人地球環境産業技術研究機構
Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994319084
Publication number (International publication number)：1996153872
Application date： Nov. 28, 1994
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 縦型素子のオン抵抗に含まれるバルク基板の縦方向の抵抗を低減した縦型素子用基板を提供する。その機械的強度が低下することなく、低抵抗化を達成することができる縦型素子用基板を提供する。その抵抗率を可変制御することが容易な縦型素子用基板を提供する。【構成】 縦型素子用基板は、単結晶シリコン基板表面に3C型SiCの膜をヘテロエピタキシャル成長させる。この膜および単結晶シリコン基板の裏面にはそれぞれ電極を配設して使用する。単結晶シリコン基板の導電型がn型のときは、そのキャリア濃度を6×1017/cm3以上とする。または、その導電型をp型としたとき、そのキャリア濃度を2×1017/cm3以上とする。従来のSiCバルク基板に比較して、縦型素子用基板は抵抗率が低くなっている。

Claim (excerpt)：

単結晶シリコン基板表面に3C型SiCの膜をヘテロエピタキシャル成長させ、この膜および単結晶シリコン基板の裏面にそれぞれ電極を配設する縦型素子用基板において、上記単結晶シリコン基板の導電型をn型としたとき、そのキャリア濃度を6×1017/cm3以上とした縦型素子用基板。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-042467   Applicant：松下電工株式会社
• 特開昭62-209855
  
• 電力用半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-257993   Applicant：株式会社東芝