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J-GLOBAL ID：200903093581928312

シリコン単結晶ウェ-ハおよびその製造方法

Inventor： 田中 正博 ,  小川 操 ,  岩崎 俊夫 ,  原田 博文 ,  福田 淳 ,  長谷部 政美
Applicant, Patent owner： ニッテツ電子株式会社 ,  新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999080451
Publication number (International publication number)：1999335198
Application date： Mar. 24, 1999
Publication date： Dec. 07, 1999
Summary：

【要約】【課題】 COP等のGrown-in欠陥の少ないシリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶から得られたシリコン単結晶ウェーハであって、該ウェーハに見られる点欠陥の吸収層の面内分布が、同心円状、らせん状及び放射状の1種又は2種以上の形態であることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ及びその製造方法である。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶から得られたシリコン単結晶ウェーハであって、該ウェーハに見られるCOP、酸素濃度及び/又は不純物濃度の面内分布が、同心円状、らせん状及び放射状の1種又は2種以上の形態であることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• シリコン単結晶製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-338459   Applicant：信越半導体株式会社
• 特開昭59-083996
  
• 磁場印加による半導体単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-181210   Applicant：コマツ電子金属株式会社
• 半導体単結晶棒の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-061924   Applicant：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社