TFT基板およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997072489
Publication number (International publication number)：1998268347
Application date： Mar. 25, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】ゲート配線の上に陽極酸化工程を経ずにゲート絶縁膜を形成する。【解決手段】金属膜2aのドライエッチングによりなだらかなテーパを有するゲート配線2を形成し、その上にCVD法等によりゲート絶縁膜5を形成する。ゲート配線2のテーパがなだらかなので、ゲート絶縁膜5のカバレージ状態が良くなり、後工程における段切れ不良の発生も少なく、絶縁性も良好となる。

Claim (excerpt)：

基板上に設けられた複数のゲート配線を覆ってゲート絶縁膜が設けられたTFT基板であって、該ゲート配線がその側壁をなだらかな10 ゚以上30 ゚以下のテーパとして形成され、該ゲート配線を覆って、陽極酸化工程を行わずに形成されたゲート絶縁膜が設けられているTFT基板。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/78 617 J , H01L 29/78 617 S , H01L 29/78 617 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平2-271320
液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-065857 Applicant：株式会社東芝
薄膜トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-214357 Applicant：株式会社東芝

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