窒化物系化合物半導体の電極および半導体素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鳥居洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997058073
Publication number (International publication number)：1998256603
Application date： Mar. 12, 1997
Publication date： Sep. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】窒化物系化合物半導体の不純物濃度を過度に増加させることなく、良好なオーミック特性を得ることができ、更に、Al等の金属を用いる場合に生じがちなデバイスの信頼性の低下や、最適な金属を見いだすための開発コストが嵩むといった不具合を生じない窒化物系化合物半導体の電極を提供する。【解決手段】 Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、Wのうちから選ばれた元素をaとし、電極が形成されるp型又はn型の窒化物系化合物半導体における被窒化物として、Ga、In、Al、GaIn、GaAl、InAl、GaInAlのうちから選ばれたものをbとし、電極材料がaX b1-X N(ただし、前記Xは0≦X≦1の範囲に存在し、前記窒化物系化合物半導体から離れるほどXは大きい)を満たす構造を有することで、エネルギー障壁(qφBn或いはqφBp)が小さくされている。

Claim (excerpt)：

金属窒化物から成ることを特徴とする窒化物系化合物半導体の電極。

FI (2)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

電極構造およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-167124 Applicant：シャープ株式会社
II-VI族化合物半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-053588 Applicant：シャープ株式会社
機器着脱用運搬装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-175595 Applicant：東日本旅客鉄道株式会社, 東レエンジニアリング株式会社, 株式会社富士インダストリーズ

Return to Previous Page