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J-GLOBAL ID：200903093695928347

表面処理装置及び表面処理方法

Inventor：
森迫 勇

About 森迫 勇


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996245846
Publication number (International publication number)：1998092599
Application date： Sep. 18, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 処理対象物の表裏両面を一括して処理でき生産性を向上できる表面処理装置及び表面処理方法を提供する。【解決手段】 減圧雰囲気を形成しプラズマ発生用ガスが供給される真空容器1と、真空容器の中段において処理対象物の表裏両面が露呈するように処理対象物を支持する支持手段13とを備え、互いに対向する第1高周波電極15と第2高周波電極17とを、支持手段上の処理対象物を挟むように配置し、第1高周波電極と第2高周波電極とに高周波電源16,18を電気的に接続し、処理対象物の表裏両面近傍にプラズマを生成するように、第1高周波電極と第2高周波電極とに高周波の交流電力を印可する。これにより処理対象物の表裏両面の処理を一括して行う。
Claim (excerpt)：
減圧雰囲気を形成しプラズマ発生用ガスが供給される真空容器と、前記真空容器の中段において処理対象物の表裏両面が露呈するように処理対象物を支持する支持手段とを備え、互いに対向する第1高周波電極と第2高周波電極とを、前記支持手段上の処理対象物を挟むように配置し、前記第1高周波電極と前記第2高周波電極とに高周波電源を電気的に接続し、前記第1高周波電極と前記第2高周波電極とに高周波の交流電力を印可することにより処理対象物の表裏両面近傍にプラズマを生成するようにしたことを特徴とする表面処理装置。
IPC (6)：
H05H 1/46 ,  C23C 14/40 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341
FI (7)：
H05H 1/46 M ,  H05H 1/46 A ,  C23C 14/40 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • プラズマ処理方法及び処理装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-142821   Applicant：株式会社日立製作所
  • 基板の表面処理方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-311877   Applicant：積水化学工業株式会社
  • プラズマCVD装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-318329   Applicant：国際電気株式会社

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