窒化物系半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐々木晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001022732
Publication number (International publication number)：2002231997
Application date： Jan. 31, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：

【要約】【課題】 GaN基板上に積層構造を形成する際、GaN基板界面では、Nの高い蒸気圧のため、N抜けやGa抜けが生じ欠陥密度が極めて多くなる。このため、同基板上に上記製造方法で作製した窒化物系半導体発光素子は、未だ結晶欠陥を多く含んでおり、これらの欠陥が非発光再結合中心として働いたり、欠陥部分が電流のパスとして働き漏れ電流の原因となるため、駆動電圧が高く、歩留りが悪いという問題点があった。【解決手段】 GaN系基板を用いた窒化物系半導体発光素子において、GaN基板形成後、基板を大気中に放置することによって、基板にOを吸着させ、その後、発光素子構造を形成する。

Claim (excerpt)：

GaN系基板上に窒化物系半導体積層構造が形成されている窒化物系化合物半導体発光素素子において、GaN基板と窒化物系半導体積層構造との界面近傍にO元素が存在し、O元素の濃度は2×1016≦n≦1022cm-3の範囲内であることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。

F-Term (16)：

5F041AA03 , 5F041AA09 , 5F041AA40 , 5F041AA41 , 5F041AA43 , 5F041AA44 , 5F041CA05 , 5F041CA14 , 5F041CA40 , 5F041CA54 , 5F041CA58 , 5F041CA65 , 5F041CA72 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041DA44

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

化合物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-221816 Applicant：株式会社東芝
窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-144151 Applicant：住友電気工業株式会社

Cited by examiner (2)

化合物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-221816 Applicant：株式会社東芝
窒化ガリウム単結晶基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-144151 Applicant：住友電気工業株式会社

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