横方向電流注入型面発光半導体レーザ装置およびその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：木村高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996012017
Publication number (International publication number)：1997205250
Application date： Jan. 26, 1996
Publication date： Aug. 05, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】簡便なプロセスで、再現性が高く、しきい値電流の小さい面発光型半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】半絶縁性基板1上に下部半導体多層膜2、量子井戸活性層4、第1の導電型の上部半導体多層反射膜6を順次形成する。次に発光領域9の周辺で、上部半導体多層反射膜6の表面から量子井戸活性層4の近傍に達する領域を選択的エッチングで除去する。次にこの残った周辺領域の表面から量子井戸活性層4を貫通して第2の導電型の不純物を導入して、発光領域を規定する不純物導入領域11を形成し、これを介して横方向から量子井戸活性層4にコンタクトする第1の電極14と、上部半導体多層反射膜6側にコンタクトする第2の電極13とを形成する。ここで上部半導体多層反射膜6はAlGaAs系半導体またはInGaAsP系半導体のいずれかで構成し、また上部半導体多層反射膜6と量子井戸活性層4との間にはGaInP層5を介在させる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された下部半導体多層反射膜と、前記下部半導体多層反射膜上に形成され、少なくとも1つの量子井戸を含む量子井戸活性層と、前記量子井戸活性層上に形成された第1の導電型の上部半導体多層反射膜と、発光領域となる領域の周辺領域を、前記上部半導体多層反射膜表面から量子井戸活性層近傍に到達するように選択的にエッチング除去するとともに、この周辺領域に、前記量子井戸活性層を貫通するように、前記第1の導電型とは異なる第2の導電型の不純物を導入して形成され、発光領域を規定する不純物導入領域と、前記不純物導入領域を介して横方向から前記量子井戸活性層にコンタクトするように形成された第1の電極と、前記発光領域上の前記上部半導体多層反射膜側にコンタクトするように形成された第2の電極とを備えた面発光型半導体レーザ装置において、前記上部半導体多層反射膜が、アルミニウムガリウム砒素(AlGaAs)系半導体またはインジウムガリウム砒素リン(InGaAsP )系半導体のいずれかで構成されると共に、また前記上部半導体多層反射膜と量子井戸活性層との間にガリウムインジウムリン(GaInP )層が介在せしめられていることを特徴とする横方向電流注入型面発光半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

面発光半導体レーザ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-119651 Applicant：日本電気株式会社
特開昭63-019824
アルミニウムを含有しない空洞領域を有するVCSEL
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-167886 Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド

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