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J-GLOBAL ID：200903093876782107

エキシマレーザ装置及びシリコン切断装置

Inventor： 武久 究 ,  大見 忠弘 ,  須川 成利 ,  篠原 壽邦
Applicant, Patent owner： 株式会社小松製作所 ,  大見 忠弘
Agent (1)： 松澤 統
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000291438
Publication number (International publication number)：2002100825
Application date： Sep. 26, 2000
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】 シリコンを狭い切断幅で切断可能なエキシマレーザ装置、及びこのエキシマレーザ装置を用いたシリコン切断装置を提供する。【解決手段】 エキシマレーザ装置は、マイクロ波(30)を照射してレーザ媒質を励起するマイクロ波発生器(12)と、レーザ媒質の前後にそれぞれ配置された共振器(6,8)と、共振器(6,8)のいずれか一方とレーザ媒質との間に配置され、レーザ光(11A)をパルス発振させるQスイッチ(28)と、レーザ光(11A)のパルス幅を圧縮するパルス圧縮器(31)と、パルス幅を圧縮されたレーザ光(11B)を集光する集光レンズ(24)とを備えている。

Claim (excerpt)：

マイクロ波(30)を照射してレーザ媒質を励起するマイクロ波発生器(12)と、レーザ媒質の前後にそれぞれ配置された共振器(6,8)と、共振器(6,8)のいずれか一方とレーザ媒質との間に配置され、レーザ光(11A)をパルス発振させるQスイッチ(28)とを備えたことを特徴とするエキシマレーザ装置。

IPC (6)：

H01S 3/225 ,  B23K 26/00 320 ,  H01L 21/304 611 ,  H01L 21/301 ,  H01S 3/09 ,  H01S 3/11

FI (6)：

B23K 26/00 320 E ,  H01L 21/304 611 Z ,  H01S 3/11 ,  H01S 3/223 E ,  H01L 21/78 B ,  H01S 3/09 Z

F-Term (16)：

4E068AE00 ,  4E068CD01 ,  4E068CK01 ,  4E068DA10 ,  4E068DB12 ,  5F071AA06 ,  5F071EE04 ,  5F071JJ02 ,  5F072AA06 ,  5F072JJ02 ,  5F072JJ07 ,  5F072KK05 ,  5F072PP05 ,  5F072SS08 ,  5F072TT22 ,  5F072YY08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 連続発光エキシマレーザ発振装置及び発振方法、露光装置並びにレーザ管
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-097648   Applicant：大見忠弘, キヤノン株式会社
• 特開平3-089573
  
• シリコン基板の切断加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-103111   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• 単結晶の切断方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-210192   Applicant：大見忠弘, 信越半導体株式会社
• エキシマレーザー発振装置のガス供給装置及びガス供給方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-049328   Applicant：大見忠弘, 大阪酸素工業株式会社, キヤノン株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Generation of short high-power pulses in excimer lasers by fast pulseQ-switching