Pat
J-GLOBAL ID：200903093897015696

半導体素子とその製造方法およびコンタクトホールの作製方法

Inventor：
岩淵 信

About 岩淵 信


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995199493
Publication number (International publication number)：1997051094
Application date： Aug. 04, 1995
Publication date： Feb. 18, 1997
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 ゲート電極とコンタクトホール内に埋め込まれる導電体との間で必要な耐圧が得られる、半導体素子とその製造方法、およびコンタクトホールの作製方法が望まれている。【解決手段】 半導体基板20上に、ゲート導電体22a、23aとこれの上に形成された第一の絶縁膜24aとを有するゲート26が設けられ、ゲート26の両側にサイドウォールスペーサ28が設けられてなる半導体素子である。ゲート26が、第一の絶縁膜24aとエッチングレートの異なる絶縁材からなる第二の絶縁膜25aを第一の絶縁膜24a上に備えている。ゲート26およびサイドウォールスペーサ28を覆って半導体基板20上に、第二の絶縁膜25aとエッチングレートの異なる絶縁材からなる絶縁層30を設ける。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に、ゲート導電体とこれの上に形成された第一の絶縁膜とを有するゲートが設けられ、該ゲートの両側にサイドウォールスペーサが設けられてなる半導体素子において、前記ゲートが、前記第一の絶縁膜とエッチングレートの異なる絶縁材からなる第二の絶縁膜を前記第一の絶縁膜上に備えて形成され、該ゲートおよび前記サイドウォールスペーサを覆って前記半導体基板上に、前記第二の絶縁膜とエッチングレートの異なる絶縁材からなる絶縁層が設けられたことを特徴とする半導体素子。
IPC (5)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318
FI (4)：
H01L 29/78 301 P ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM