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J-GLOBAL ID:200903093998504159

シングルモード光ファイバの製造方法及びシングルモード光ファイバ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 志賀 正武 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001365172
Publication number (International publication number):2003167144
Application date: Nov. 29, 2001
Publication date: Jun. 13, 2003
Summary:
【要約】【課題】 1380nm帯での初期損失が低く、且つ外部から水素が拡散してきた場合でも、1380nmでの損失を低く保つことができるシングルモード光ファイバの製造方法を提供する。【解決手段】 コア部1と第1クラッド部2とからなる石英ロッドにSiO2微粒子を外付けして第2クラッド部3が形成されたガラスプリフォームを紡糸して光ファイバを形成する。第1クラッド部2の直径Dとコア部1の直径dとの比であるD/dが、D/d=4.0〜4.8であり、かつ、コア部1、第1クラッド部2及び第2クラッド部3のOH濃度を0.1ppm以下としてシングルモード光ファイバを製造する。または、D/d>4.8とし、かつ、コア部1と第1クラッド部2のOH濃度を0.1ppm以下とし、第2クラッド部2のOH濃度を100ppm以下として光ファイバを製造する。
Claim (excerpt):
屈折率の高いコア部と該コア部より屈折率の低い第1クラッド部とからなる石英ロッドを製造する第1の工程と、その石英ロッドの外周に第2クラッド部となるSiO2微粒子を外付けした後、焼結してガラスプリフォームを製造する第2の工程と、このガラスプリフォームを溶融紡糸することにより光ファイバを製造する第3の工程とを有するシングルモード光ファイバの製造方法であって、該第1クラッド部の直径Dと該コア部の直径dとの比であるD/dを4.0〜4.8の範囲とし、かつ、該コア部、該第1クラッド部及び該第2クラッド部のOH濃度を0.1ppm以下として形成することを特徴とするシングルモード光ファイバの製造方法。
IPC (3):
G02B 6/22 ,  C03B 37/029 ,  G02B 6/00 356
FI (3):
G02B 6/22 ,  C03B 37/029 ,  G02B 6/00 356 A
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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