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J-GLOBAL ID：200903094046297571

半導体装置及びその作製方法

Inventor：
山崎 舜平

About 山崎 舜平

, 
竹村 保彦

About 竹村 保彦


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003285695
Publication number (International publication number)：2004006976
Application date： Aug. 04, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：
【課題】 特性の良い半導体装置を提供する。【解決手段】 絶縁表面上に形成された、一対の第一の不純物領域、前記一対の第一の不純物領域の間に形成された一対の第二の不純物領域、及び前記一対の第二の不純物領域の間に形成されたチャネル形成領域と、を有する半導体膜と、前記半導体膜上に形成されたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極と、を有する半導体装置において、前記第一の不純物領域の濃度は、前記第二の不純物領域の濃度よりも高く、前記チャネル形成領域及び前記一対の第二の不純物領域の一部は、前記ゲイト絶縁膜を介して前記ゲイト電極の下に形成され、前記一対の第一の不純物領域の表面にシリサイドが形成され、前記シリサイドは、金属配線と接続されていることを特徴とする半導体装置。【選択図】 図4
Claim (excerpt)：
絶縁表面上に珪素膜を形成し、 前記珪素膜上に絶縁膜を形成し、 前記絶縁膜上にゲイト電極を形成し、 前記絶縁膜を除去して前記珪素膜を露出させ、 前記珪素膜及び前記ゲイト電極を覆って金属被膜を形成し、 前記珪素膜に選択的に導電型の不純物イオンを基板に対して斜めに導入することによって不純物領域を形成し、 アニールにより前記珪素膜と前記金属被膜を選択的に反応させることによって、前記珪素膜に選択的にシリサイド領域を形成し、 前記金属被膜を除去し、 前記不純物領域の一部は、ゲイト電極の下にオーバーラップしており、前記絶縁膜を介して前記不純物イオンが導入されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (5)：
H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786
FI (9)：
H01L29/78 616K ,  H01L21/265 604M ,  H01L21/265 604V ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/78 616L ,  H01L29/78 616A ,  H01L29/78 627F ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/50 M
F-Term (88)：
4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104DD02 ,  4M104DD33 ,  4M104DD64 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104DD84 ,  4M104DD91 ,  4M104EE05 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH16 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110BB10 ,  5F110BB11 ,  5F110CC02 ,  5F110CC08 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE34 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF24 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ14 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK03 ,  5F110HK05 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK40 ,  5F110HL01 ,  5F110HL03 ,  5F110HL11 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN04 ,  5F110NN12 ,  5F110NN23 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ10 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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