薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉村次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994302673
Publication number (International publication number)：1996139335
Application date： Nov. 14, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：

【要約】【目的】駆動回路の薄膜トランジスタと画素部の薄膜トランジスタとが共に良好な電気的特性を有し、しかも工程数の少ない、薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【構成】ガラス基板1上に形成したa-Si膜の駆動回路形成領域Aにレーザ照射を行ってポリシリコン膜4を形成し、画素形成領域Bのa-Si膜に水素イオンをイオン注入することにより、a-Si:H膜5を形成する。このように、駆動回路形成領域Aの半導体層をポリシリコン膜4で形成し、画素形成領域Bの半導体層をa-Si:H膜5で形成することにより、駆動用薄膜トランジスを高移動度のTFTにし、画素用薄膜トランジスを液晶駆動に必要なオン・オフ電流比の大きなスイッチングが得られるa-Si:H/TFTにすることができる。

Claim (excerpt)：

基板の駆動回路形成領域にポリシリコン薄膜トランジスタを形成し、前記基板の画素形成領域にアモルファスシリコン薄膜トランジスタ形成する、薄膜トランジスタの製造方法において、前記基板の前記駆動回路形成領域と前記画素形成領域とに実質的に、水素を含有しないアモルファスシリコン薄膜を形成し、前記駆動回路形成領域の前記アモルファスシリコン薄膜をアニールしてポリシリコン薄膜にし、その後、前記画素形成領域のアモルファスシリコン薄膜に水素を導入することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , H01L 21/268 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭64-045162
特開平2-234440
薄膜基板とその製造方法および薄膜基板上に形成された薄膜トランジスタとその製造方法及び液晶表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-122576 Applicant：三菱電機株式会社, 旭硝子株式会社

Show all

Return to Previous Page