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J-GLOBAL ID：200903094215297888

ダイヤモンド冷陰極およびダイヤモンド冷陰極を用いた電界放出素子ならびにダイヤモンド冷陰極の製造方法

Inventor： 石倉 威文 ,  山下 敏 ,  浅野 種正 ,  男鹿 伸一
Applicant, Patent owner： 東京瓦斯株式会社 ,  東京ガスケミカル株式会社
Agent (1)： 沼形 義彰 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995066129
Publication number (International publication number)：1996264862
Application date： Mar. 24, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 基板と平行な(111)配向面が極めて小さくて尖ったダイヤモンド孤立粒子からなる冷陰極の電子放出特性を向上させる。【構成】 CVD法によって銅基板上に合成した先端が尖ったダイヤモンド孤立粒子の表面を水素プラズマ処理した冷陰極。原料ガスの炭素量を極めて低くしたCVD法で合成して得た先端が尖ったダイヤモンド孤立粒子の表面を水素プラズマ処理する冷陰極の製造方法。

Claim (excerpt)：

基板上に化学的気相成長によって合成した尖ったダイヤモンド孤立粒子表面を水素プラズマ処理したことを特徴とする冷陰極。

IPC (3)：

H01L 49/00 ,  H01J 1/30 ,  H01J 9/02

FI (3)：

H01L 49/00 Z ,  H01J 1/30 A ,  H01J 9/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 電子放出素子および電子放出素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-208044   Applicant：出光マテリアル株式会社
• 特開平2-138469
  
• 特開平4-060410