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J-GLOBAL ID：200903094244399711
半導体ウェハ研磨状態モニタリング装置及び研磨終了点検出方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998154221
Publication number (International publication number)：1999345791
Application date： Jun. 03, 1998
Publication date： Dec. 14, 1999
Summary：
【要約】【課題】正確に半導体ウェハの研磨状態をモニタリングできる半導体ウェハ研磨状態モニタリング装置及びその方法、さらに研磨終了点検出方法、研磨装置の提供。【解決手段】研磨中の半導体ウェハ1に検査光5を照射する手段41、検査光5が半導体ウェハ1によって反射された正反射光7を受光し受光量に応じた正反射光量信号aを出力する正反射光受光手段9、検査光5が半導体ウェハ1によって散乱・回折された散乱・回折光10を受光し受光量に応じた散乱・回折光量信号bを出力する散乱・回折光受光手段12、正反射光量信号aと散乱・回折光量信号bとが入力され、正反射光7の受光量と散乱・回折光10の受光量とに基づき、半導体ウェハ1の研磨進行状態をモニタリングするモニタリング手段13を有する。
Claim (excerpt)：
研磨中の半導体ウェハに検査光を照射する手段と、前記検査光が前記半導体ウェハによって反射された正反射光を受光し受光量に応じた正反射光量信号を出力する正反射光受光手段と、前記検査光が前記半導体ウェハによって散乱・回折された散乱・回折光を受光し受光量に応じた散乱・回折光量信号を出力する散乱・回折光受光手段と、前記正反射光量信号と前記散乱・回折光量信号とが入力され、研磨の進行に伴う前記半導体ウェハの露出膜質の変化による分光反射特性の変化とパターンの形成による前記正反射光と前記散乱・回折光の比率の変化を、該正反射光量信号と該散乱・回折光量信号がそれぞれ示す前記正反射光の受光量と前記散乱・回折光の受光量とで捉えて、前記半導体ウェハの研磨状態をモニタリングするモニタリング手段と、を有する半導体ウェハ研磨状態モニタリング装置。
IPC (4)：
H01L 21/304 622
, B24B 37/04
, B24B 49/04
, B24B 49/12
H01L 21/304 622 S
, B24B 37/04 K
, B24B 49/04 Z
, B24B 49/12
