半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：山下穣平 , 志村博 , 永井道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005258271
Publication number (International publication number)：2007073702
Application date： Sep. 06, 2005
Publication date： Mar. 22, 2007
Summary：

【課題】電極層と半導体層との接触抵抗が低く、密着性と経時安定性に優れた酸化物半導体素子を提供する。【解決手段】酸化物半導体層と貴金属電極との間に、それらの間の密着性を向上させるための密着性向上層106が分散して配置され、前記酸化物半導体層と貴金属電極が接触する部分を有する。密着性向上層106は、島状又はストライプ状に分散している。密着性向上層106は、10nm以下の厚さを有し、Ti、Ni、Cr、V、Hf、Zr、Nb、Ta、Mo又はWの少なくとも1つを含む。貴金属電極103の材料は、Au、Pt又はPdの少なくとも1つを含む。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

酸化物半導体層と貴金属電極との間に、それらの間の密着性を向上させるための密着性向上層が分散して配置され、前記酸化物半導体層と貴金属電極が接触する部分を有することを特徴とする半導体素子。

IPC (3)：

H01L 21/28 , H01L 29/786 , H01L 29/861

FI (5)：

H01L21/28 301B , H01L29/78 616U , H01L29/78 618B , H01L21/28 301R , H01L29/91 F

F-Term (44)：

4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB05 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104CC01 , 4M104DD28 , 4M104DD34 , 4M104DD68 , 4M104FF11 , 4M104FF13 , 4M104GG02 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH08 , 4M104HH15 , 5F110AA03 , 5F110AA14 , 5F110AA26 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE02 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG04 , 5F110GG07 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK21 , 5F110HK34 , 5F110HM02 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

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