半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小鍜治明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993336373
Publication number (International publication number)：1995202336
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】可視光領域に発振波長を有する半導体レーザに関するもので、相対雑音強度の低い半導体レーザを容易に歩留まりよく提供する。【構成】半導体レーザのp-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pクラッド層5の一部が台形状のストライプである。電流狭窄層がn-Al0.5Ga0.5As層とn-GaAs電流狭窄層の2層から成っている。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該半導体基板上に形成され、活性層と、該活性層を挟む一対のクラッド層と、該活性層のストライプ状所定領域に電流を注入するための電流狭窄層とを有する積層構造とを備えた半導体レーザであって、該電流狭窄層は、該活性層の該所定領域に対応する領域以外の領域に形成された第1の電流狭窄層を備えており、該電流狭窄層は、該活性層の禁制帯幅よりも大きい禁制帯幅を有し、かつ該活性層よりも小さな屈折率を有していることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

半導体レーザ素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-193875 Applicant：シャープ株式会社
半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-245079 Applicant：シャープ株式会社
半導体レーザ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-170067 Applicant：株式会社東芝

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