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J-GLOBAL ID：200903094366224947

半導体集積回路の製造方法及びその製造装置

Inventor： 笠置 泰男
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993132855
Publication number (International publication number)：1994326087
Application date： May. 11, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 膜の緻密性を確保した上で、成膜速度を速めることができる半導体集積回路の製造方法及びその製造装置を提供する。【構成】 テトラエトキシシラン3とオゾン4を、それらの混合気体が大気圧よりも高い圧力になるように供給する反応ガス供給手段1,2と、反応容器10内に配置された半導体基板6を加熱する加熱手段5と、を備えている。層間絶縁膜を成膜する際に、大気圧よりも高い圧力のテトラエトキシシラン3及びオゾン4の混合気体で半導体基板6上に熱気相成長法によって層間絶縁膜を成膜する。テトラエトキシシラン3及びオゾン4の流量を増加させた場合でも、気相中における重合反応が十分に進行する。膜の緻密性を確保しながら、その成膜速度を速くすることができる。

Claim (excerpt)：

半導体集積回路の製造工程において、層間絶縁膜を成膜する際、テトラエトキシシランとオゾンの混合気体を、反応容器内に大気圧よりも高い圧力まで導入し、基板上に熱気相成長法によって成膜することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/90

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 層間絶縁膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-231840   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 絶縁膜の形成方法および絶縁膜形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-290614   Applicant：松下電子工業株式会社