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J-GLOBAL ID：200903094378675529

窒化物半導体素子

Inventor： 三木 修 ,  岡 武史 ,  野中 満宏
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003273034
Publication number (International publication number)：2004172568
Application date： Jul. 10, 2003
Publication date： Jun. 17, 2004
Summary：

【課題】 接触抵抗が低減された対向電極構造の窒化物半導体素子を提供することを本発明の目的とする。【解決手段】 対向電極構造である窒化物半導体素子であって、窒化物半導体のn極性を示す面には、少なくとも(000-1)面以外の傾斜面を有し、且つ電極を形成している。また、前記窒化物半導体のn極性を示す面は凹凸段差を有する。さらに前記(000-1)面以外の傾斜面は、凹凸段差の段差側面に形成されている。前記(000-1)面以外の傾斜面は、(000-1)面からのオフ角が0.2°以上90°以下である。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

対向電極構造である窒化物半導体素子であって、 窒化物半導体のn極性を示す面には、少なくとも(000-1)面以外の傾斜面を有し、且つ電極を形成していることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (1)：

H01S5/323

FI (1)：

H01S5/323 610

F-Term (13)：

5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA47 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AA89 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB23 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体レーザ装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-098654   Applicant：松下電器産業株式会社
• 窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-363030   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体基板および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-145199   Applicant：ソニー株式会社