半導体レーザ装置およびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001098654
Publication number (International publication number)：2002299769
Application date： Mar. 30, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：

【要約】【課題】高温高出力動作時においても高い信頼性を有するGaN系半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】窒化物半導体からなる基板の裏面を異方性エッチングして凹凸面とし、表面積を約3倍以上に増加させる。

Claim (excerpt)：

窒化物半導体レーザ素子がジャンクションダウン配置で実装された半導体レーザ装置であって、窒化物半導体レーザ素子の基板裏面が凹凸面であることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 5/343 610 , H01L 21/306

FI (2)：

H01S 5/343 610 , H01L 21/306 B

F-Term (19)：

5F043AA05 , 5F043BB06 , 5F043DD07 , 5F043FF10 , 5F043GG04 , 5F073AA11 , 5F073AA45 , 5F073AA74 , 5F073BA06 , 5F073CA03 , 5F073CB02 , 5F073DA22 , 5F073DA23 , 5F073DA24 , 5F073DA32 , 5F073EA24 , 5F073EA27 , 5F073EA28 , 5F073FA14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (14)

窒化物半導体基板および窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-067553 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-011590 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-333325 Applicant：日本電気株式会社

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