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J-GLOBAL ID：200903085580930205

半導体レーザ装置およびその製造方法

Inventor：
辻村 歩

About 辻村 歩

, 
大塚 信之

About 大塚 信之


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001098654
Publication number (International publication number)：2002299769
Application date： Mar. 30, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：
【要約】【課題】 高温高出力動作時においても高い信頼性を有するGaN系半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 窒化物半導体からなる基板の裏面を異方性エッチングして凹凸面とし、表面積を約3倍以上に増加させる。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体レーザ素子がジャンクションダウン配置で実装された半導体レーザ装置であって、窒化物半導体レーザ素子の基板裏面が凹凸面であることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/306
FI (2)：
H01S 5/343 610 ,  H01L 21/306 B
F-Term (19)：
5F043AA05 ,  5F043BB06 ,  5F043DD07 ,  5F043FF10 ,  5F043GG04 ,  5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073BA06 ,  5F073CA03 ,  5F073CB02 ,  5F073DA22 ,  5F073DA23 ,  5F073DA24 ,  5F073DA32 ,  5F073EA24 ,  5F073EA27 ,  5F073EA28 ,  5F073FA14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (27)
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